细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
如何去除石墨表面的多晶硅
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多晶硅的去除方法百度文库
以下是几种常见的多晶硅去除方法： 1酸洗：多晶硅可以通过酸洗的方式去除表面的杂质和缺陷。常用的酸洗溶液有浓硝酸、浓氢氟酸和浓盐酸等。这种方法可以有效地去除多晶硅 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步 多晶硅碳头料的硅碳分离方 2023年6月29日 — 技术实现思路 1、本技术的目的在于提供一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统，以解决目前酸洗的废液含n的问题。 2、第一方面，本技术实施例提供了一种多晶硅的去除方法，所述方法包括： 3、获 一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统与流程2019年10月23日 — 多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学反应，生产单质硅，并沉积在硅芯表面，随 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法与流程
多晶硅碳头料的硅碳分离方法百度文库
2010年4月7日 — 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50200)比例将碳头料 2024年3月27日 — 1 机械清洗主要是用刷子、压缩空气或者超声波清洗。 这种方法比较适合去除石墨表面的松散物质，比如灰尘或小颗粒杂质。 但要注意，用刷子清洗时力度不要 如何清洗石墨材料？ 知乎1去除表面附着物：使用碱性或酸性溶液来去除多晶硅表面的有机和无机附着物。 2去除表面缺陷：使用化学溶液或机械切割来去除多晶硅表Leabharlann Baidu的缺陷和污渍。多晶硅清洗工艺流程 百度文库铸造多晶硅中的杂质去除主要是利用合金元素在定向凝固过程中的分凝效应,即不同杂质元素在固相和液相中具有不同的溶解度,使得 另外,寻找适合铸造多晶硅表面 织构如何去除石墨表面的多晶硅
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多晶硅与石墨连接处怎样处理清除
多晶硅与石墨连接处怎样处理清除,包含了石墨卡瓣、含碳量高,只能作为废料处理,这样,沉降的多晶硅越多,去除卡帽10顶部的多晶硅难度越大,在卡帽10的顶部与侧壁之间的尖角处的温 2010年6月9日 — 本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法,主要是将碳头料破碎后分为三类,第一类物料为不含碳的硅块,其无需清洗处理;第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法 百度学术2022年4月2日 — 本发明公开了一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括如下步骤：第一步：在喷射清洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料；第二步：调整喷射清洗设备喷口的喷 一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法与流程 X技术网2011年6月3日 — 多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如，在力学性质、光学性质和热学性质的 各向异性 方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的 导电性 也远 多晶硅 百度百科
一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X
2020年6月30日 — 在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。可选地，在所述的lpcvd石英舟的清理方法中，在将待清 2023年10月31日 — 多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，若这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 多晶硅是用冶金级硅粉通过化学、物多晶硅的生产工艺详解； 知乎专栏2013年5月1日 — 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库多晶硅中氧化夹层的消除25进料炉温控制过低。 还原炉启动后，硅棒电流过小，硅棒表面温度过低，硅芯表面未达到熔融状态，进料后形成温度夹层。26进料时电压波动大。电压在进料时出现明显的升高，说明硅棒表面温度出现了变化，下降过快，反应 多晶硅中氧化夹层的消除 百度文库
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多晶硅行业前景展望 多晶硅定位：晶硅光伏产业链中最重要的
2024年5月3日 — 除了上述技术指标以外，国标中也规定了多晶硅的尺寸、粒径和表面质量。多晶硅产业链：覆盖光伏与半导体两大领域，且以光伏为主要板块 多晶硅产业链下游终端为光伏与半导体行业，且以光伏行业为主，占比高达98%。2024年3月27日 — 机械清洗主要是用刷子、压缩空气或者超声波清洗。这种方法比较适合去除石墨表面的 松散物质，比如灰尘或小颗粒杂质。但要注意，用刷子清洗时力度不要太大，以免损伤石墨表面。2 溶剂清洗 对于沾染有油脂的石墨材料，可以使用溶剂清洗 如何清洗石墨材料？ 知乎2021年12月9日 — 从硅表面去除薄的 天然二氧化硅： 稀氢氟酸湿法清洗。从硅衬底上去除氧化物的常用方法是稀氢氟酸湿法清洗。这种湿式清洁提供了高度选择性的氧化物去除，并将被用作基线。图2显示了具有天然氧化物的硅衬底与在1 %稀氢氟酸溶液中处理60 s后 华林科纳SiO2原子层蚀刻法去除硅基质的薄氧化物层 知乎2021年3月1日 — 然而，在转移过程中去除通常用作支撑介质的 PMMA 很麻烦，因为 PMMA 分子会干扰石墨烯的基本性质，而常规的丙酮处理无法从石墨烯表面完全去除 PMMA。热退火处理最早用于清洁PMMA残留物，而等离子体和离子束处理一般具有更高的清洁效率。与其他消除石墨烯上PMMA残留的方法——超洁净石墨烯 XMOL
多晶硅表面金属杂质的清除 百度学术
1996年8月12日 — 摘要： 提出了从块状或颗粒状多晶硅的表面除去金属杂质的方法把金属杂质和多晶硅暴露于气相卤素腐蚀剂中,使气相卤素腐蚀剂与暴露的金属杂质反应形成金属卤化物气相卤素腐蚀剂优选的是一种卤素等离子体把金属卤化物挥发到多晶硅表面附近的气体中,然后除去使用清洁的多晶硅制备用于 2020年7月8日 — 浅沟槽隔离的台阶高度表征了多晶硅生长前的晶片表面形貌 浅沟槽隔离区的多晶硅栅的侧壁角度 86° 有源区中央的多晶硅栅侧壁角度 89° 有源区密度差异导致STI后CMP中的负载效应→多晶硅膜厚度差异→最终栅极侧壁角度差异→特征尺寸差异 4多晶硅栅 半导体学习日记（2）多晶硅栅极蚀刻 知乎2011年10月19日 — 热压烧结样品表面的那层石墨纸如何才能处理掉？哪位有经验的童鞋知道啊，谢了！磨吧，化学方法去掉石墨还是有难度的，不知道你的样品成分，所以不好选。热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？ 非金属 小木虫 2020年6月7日 — 半导体器件的钝化层去除方法分为干法和湿法，干法是利用等离子体刻蚀技术从器件表面有选择地去除介质层，某种特定的等离子体可以去除特定的表层。本文只介绍三种物质的湿法去除方法：二氧化硅、氮化硅，纯硅。 二[失效分析与可靠性] 008 二氧化硅、氮化硅与纯硅如何去除
超洁净石墨烯薄膜 物理化学学报
2024年9月12日 — 除了抑制石墨烯薄膜生长过程中副产物的生成外，刘忠范教授研究组和彭海琳教授研究组还提出了表面清洁工艺，对已经形成的表面污染物进行选择性去除，制备出了大面积超洁净石墨烯薄膜。弱氧化剂，如二氧化碳，能够在CVD系统内原位刻蚀去除反应活性更高的无定形碳污染物，其在合适反应温度 2017年8月10日 — 3 2 石墨在多晶硅生产中的 应用 目前市场上太阳能级多晶硅产品85%以上 是依靠改良西门子工艺生产制得,在改良西门子工艺生产过程中,高纯石墨以其优异的特性在多道工序中被广泛使用;例如多晶硅气相沉积的还原炉内要用到大量的石墨制品耗材 石墨材料在光伏行业中的应用2023年6月19日 — 2、单晶硅和多晶硅的区别：外观不同 单晶硅的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。生产工艺: 1石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。【解惑】单晶硅和多晶硅的区别 知乎2024年4月11日 — 中游为多晶硅的生产，将工业硅提纯制备成多 晶硅锭、单晶硅棒。下游为多晶硅的应用领域，主要为光伏领域和半 导体领域。随着光伏领域的发展，光伏电池对多晶硅需求量的增长速 度远高于半导体领域的需求。目前，光伏行业是多晶硅使用量最大的 行业领 多晶硅系列专题（一）：基础知识
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用于刻蚀多晶硅表面的HFHNO3H2SO4/H2O混合物
2021年10月22日 — 因此，不均匀性的区域优先蚀刻，导致抛光表面。 利用扫描电镜和激光扫描显微镜研究了 HFHNO3H2SO4混合物中蚀刻硅片的表面结构。图7显示了用几种不同浓度的硫酸获得的蚀刻多晶硅表面的扫描电镜图像。2018年8月7日 — 但是，由于碳元素的激活时间和速率，都远远地晚于甚至不及在石墨表面上被大量结晶硅所包裹的时间和速率，同时石墨表面也开始逐渐被硅所掩盖，导致在石墨表面上从开始时能够产生少量大气甲烷，到后来却又慢慢无法产生大量甲烷的。 12 CH4与碳的沉积多晶硅中碳杂质的来源及控制方法研究 qikan2012年11月27日 — 石墨的去除传统一般采用高温加热硫酸和硝酸的方法。通过长期工作实践，去除石墨有以下经验： 1通过加热硫、硝酸除掉的石墨是极少量的，而金刚石中大量的石墨是通过水洗除去的。2金刚石作为一种特殊的磨料，在其相互间不断的摩擦过程，完全可以将 金刚石中都有什么杂质该怎么处理！百度知道元素含量的常见手段主要可概括为两大类 。 1 1 检测多晶硅表面元素分布的方法 多晶硅表面杂质元素的含量及分布直接关系到 其性能和特点， 常用的分析方法是 X 荧光光谱法 （ XRF） [12]， 此法可以定性、 定量分析包括 Fe 和 Al 等 多种杂质元素。多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库
产品多晶硅的氧化夹层原因和预防措施百度文库
产品多晶硅的氧化夹层原因和预防 措施产品多晶硅的氧化夹层原因和预防措施 首页 文档 视频 音频 文集 文档 还原炉使用过的石墨件用专用工具在规定区域进行清理，在最大限度保护本体不受损坏的前提下去除所结硅，剥离的硅作为石墨料进行处理 2021年4月26日 — 将多晶硅和掺杂剂放入石英坩埚中，通过外围环绕的石墨加热器，将温度升高至1420℃以上，获得熔融状态的多晶硅。 待熔融多晶硅温度稳定一段时间后，将籽晶 （直径约05 cm,长约10 cm）降下至液面3~5 mm 预热，再插入熔晶表面进行熔接。从沙子到芯片：晶圆是如何炼成的 知乎2023年5月27日 — 中国粉体网讯 当前，在光伏多晶硅原料的生产行业中，大多采用的是改良西门子法生产工艺，改良西门子法主要涉及5个环节，提纯以及尾气回收、其他氢化物的分离、硅合成、还原等技术，经过改良之后的方法具备安全性，能够制备高纯度的多晶硅，和其他方法相比，转换率最高。光伏多晶硅料为何需要破碎？如何破碎？ 中国粉体网2023年10月25日 — 但在实际应用中，需要注意清洗参数的选择和控制，以保证清洗效果，不会对石墨材料造成不必要的损坏。低温等离子清洗机在石墨领域具有以下优点: 1高效率清洗：等离子体清洗机利用等离子体产生的高能离子束，对石墨表面进行清洗，能有效地去除石墨 如何借助等离子清洗机提高石墨表面的清洁度和亲水性?
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多晶硅异常料的分析及解决办法
2022年6月14日 — 实验结论：多晶硅表面铜含量的异常升高，来源于CVD内的电极，电极本体为纯紫铜材质，表面的镀银层经过打磨、受热后逐渐脱落，电极头的金属铜熔点为1080度，当石墨座与电极的接触由面接触发展到线接触，电流引起电极头变形后完成是点接触时，电 2019年10月21日 — 硅芯导通时，用硅芯高电压击穿或红外辐射预热等方式代替石墨预热器预热导通，减少还原炉石墨材料用量。3 结论 在多晶硅生产过程中，提高多晶硅产品质量的主要矛盾是如何稳定产品质量问题，而影响质量的因素主要是杂质来源控制，其中电子级以及区熔级多晶硅生产中的影响硅芯质量因素研究 参考网2024年3月21日 — 在新能源的光伏领域中，晶硅技术一直是行业的中坚力量。其中，单晶硅与多晶硅作为两大主流技术路线，备受关注。那么，这两种晶硅到底有何不同？它们的发展前景又如何呢？晶硅技术概览 晶硅，作为光伏发电的核心材料，其转换效率和技术成熟度直接影响着光伏系统的性能。单晶硅与多晶硅：光伏领域的“双雄”对比索比光伏网2022年4月11日 — 采用XRD 技术对不同的制备条件、不同退火条件的多晶硅膜的微结构进行了测量分 析, 结果表明, 不同淀积条件和不同退火条件的多晶硅薄膜微结构有明显差异, 这将对其内 应力产生影响 图5 不同退火温度下多晶硅膜XRD 的谱多晶硅薄膜应力特性研究 JOS
一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 X技术网
2023年4月18日 — 一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法技术领域本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。背景技术topcon单晶硅太阳能电池制备过程中需要在电池背面制作一层掺杂多晶硅作为钝化层，目前制备多晶硅钝化层的主流方式有lpcvd、pecvd和pvd法。其中，pecvd法 2024年9月2日 — TOPCon电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩，再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备，之后再正面 Al 2 O 3 膜层制备、正反面SiNx膜制备，最后金属化。 与PERC时代时工艺路线之争相似，TOPCon工艺 TOPCon电池重要技术之一：LPCVD工艺介绍 艾邦 2022年4月2日 — 1本发明涉及表面清理技术领域，具体为一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法。背景技术： 2碳化硅涂层能够通过如含浸法或化学气相沉积法(cvd)等沉积方法形成。 通过含浸法形成的碳化硅层的耐久性通常较低；化学气相沉积法(cvd)从长远的角度看来还有可能会导致如装置的腐蚀以及空气的污染 一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法与流程 X技术网2011年1月3日 — 样品利用等离子增强化学气相沉积（ PECVD ）技术，在铸造多晶硅表面制备一层 SiN 减反射层，同时，氢杂质被扩散进入晶体硅。 氢还可以钝化晶体硅的表面。氢原子与悬挂键结合，可以消除表面态，改善材料的性能。铸造多晶硅杂质和缺陷处理工艺研究进展 solarzoom
硅太阳能电池的界面优化 Researching
2018年12月21日 — 处理15min去除硅表面沾污;然后在去离子水中超声清洗5min用稀释的氢氟酸(2%)去浸泡硅片, 除去表 面较厚的氧化层,用去离子水洗净,最后用氮气吹干对上述去除氧化层的硅片静置15h使硅表面形成一层 薄的自然氧化层(SiOx) 使用低压化学气相沉积(Low 2017年12月12日 — 常规多晶硅铸锭炉（如图1所示）的核心结构是由石英坩埚、石墨挡板和坩埚平台组成。在生产过程中石墨加热器以热辐射的形式对石墨挡板进行加热，石墨挡板通过固体热传导的形式给坩埚加热，再由坩埚通过固体热传导的形式给硅料加热，从而使硅料融化。多晶硅片表面缺陷如何拯救？ 国际太阳能光伏网南开大学Jun Yin课题组在石墨烯上消除PMMA残留的方法——超净石墨烯 中通常用作支撑介体的PMMA的去除是麻烦的，因为PMMA分子会干扰石墨烯的基本性能，而常规的丙酮处理无法从石墨烯表面完全去除PMMA。 最早将热退火处理用于清洁PMMA残留 南开大学Jun Yin课题组在石墨烯上消除PMMA残留的方法 2022年4月2日 — 中国粉体网讯 硅的性质 硅是自然界中分布最广的元素之一，地壳中约含263%，仅次于氧元素，是介于金属和非金属之间的半金属。硅晶体结构决定了硅的物理化学性质，硅具有与金刚石相似的正四面体稳定结构，硅原子之间通过共价键连接，因此硅具有硬度大，熔沸点高等性质。【原创】 一文看懂工业硅及多晶硅 中国粉体网
等离子清洗机在光伏行业上石墨舟的运用 知乎
2023年8月7日 — 使用一定次数后需要定期清洗去除表面的 膜层。石墨舟传统湿法清洗的五大弊端 目前清洗石墨舟采用的都是传统湿法清洗工艺,但现有湿法清洗技术存在五大弊端: ①清洗时间过长 湿法清洗一个石墨舟直到烘干需要1620个小时左右，清洗效率低 2011年6月3日 — 多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如，在力学性质、光学性质和热学性质的 各向异性 方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的 导电性 也远 多晶硅 百度百科2020年6月30日 — 在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。可选地，在所述的lpcvd石英舟的清理方法中，在将待清 一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X 2023年10月31日 — 多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，若这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 多晶硅是用冶金级硅粉通过化学、物多晶硅的生产工艺详解； 知乎专栏
一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库
2013年5月1日 — 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在多晶硅中氧化夹层的消除25进料炉温控制过低。 还原炉启动后，硅棒电流过小，硅棒表面温度过低，硅芯表面未达到熔融状态，进料后形成温度夹层。26进料时电压波动大。电压在进料时出现明显的升高，说明硅棒表面温度出现了变化，下降过快，反应 多晶硅中氧化夹层的消除 百度文库2024年5月3日 — 除了上述技术指标以外，国标中也规定了多晶硅的尺寸、粒径和表面质量。多晶硅产业链：覆盖光伏与半导体两大领域，且以光伏为主要板块 多晶硅产业链下游终端为光伏与半导体行业，且以光伏行业为主，占比高达98%。多晶硅行业前景展望 多晶硅定位：晶硅光伏产业链中最重要的 2024年3月27日 — 机械清洗主要是用刷子、压缩空气或者超声波清洗。这种方法比较适合去除石墨表面的 松散物质，比如灰尘或小颗粒杂质。但要注意，用刷子清洗时力度不要太大，以免损伤石墨表面。2 溶剂清洗 对于沾染有油脂的石墨材料，可以使用溶剂清洗 如何清洗石墨材料？ 知乎
华林科纳SiO2原子层蚀刻法去除硅基质的薄氧化物层 知乎
2021年12月9日 — 从硅表面去除薄的 天然二氧化硅： 稀氢氟酸湿法清洗。从硅衬底上去除氧化物的常用方法是稀氢氟酸湿法清洗。这种湿式清洁提供了高度选择性的氧化物去除，并将被用作基线。图2显示了具有天然氧化物的硅衬底与在1 %稀氢氟酸溶液中处理60 s后 2021年3月1日 — 摘要 石墨烯作为一种很有前途的二维材料，由于其独特的性质而被广泛研究。将 CVD 石墨烯从其原始金属箔转移到其他基板对其实际应用很重要。然而，在转移过程中去除通常用作支撑介质的 PMMA 很麻烦，因为 PMMA 分子会干扰石墨烯的基本 消除石墨烯上PMMA残留的方法——超洁净石墨烯 XMOL
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